Moore yasası devam edecek
Yeni üretim süreçleri konusunda rakiplerinden epey geriye düşen ve TSMC ile üretim iştiraki yapmak zorunda kalan Intel, 8 yıl içerisinde kıymetli adımlar atarak tekrar rekabete katılmayı amaçlıyor.
Intel yaptığı açıklamada Moore yasasını devam ettirebilmek ismine 2030 yılına kadar yeni bir program geliştirdiğini belirtti. Bu programda transistör yoğunlukları 10 kat artarken 3 atom kalınlığında yenilikçi gereçler kullanılacak.
Silikon malzemesinin kısıtlamalarını aşabilmek için dökümcüler farklı gereçler test ederken verimliliği arttırmak için de yeni dizilim yolları kullanıyor. Samsung ve TSMC yeni süreçlerde birden fazla nano irtibat noktasını yan yana değil istifleme biçiminde dizen GAA teknolojisine geçiş yapmıştı.
Intel ise 4 ve 3nm süreçlerine kadar temas noktalarını yan yana istifleme tekniğini kullanırken sonrasında ise GAA tekniğine geçmeyi planlıyor. Ayrıyeten PowerVia art kısım güç dağıtım teknolojisi ve RibbonFET teknolojisi ile de verimliliği arttıracak.
Diğer taraftan Ryzen 3D tekniğine misal formda transistörlerin üzerine ferroelektrik kapasitörler ile bellek yerleştiren FeRAM teknolojisi, çok daha verimli güç transferine müsaade verecek 300 milimetre yonga üzeri GaN tekniği de yeniden yakın gelecekte Intel müşterilerine sunulacak.